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记忆体、储存芯片

DDC供应多种抗辐照的内存产品,包括PROM、EEPROM、SRAM、SDRAM和NOR以及NAND闪存。这些产品有使用DDC专利RAD-Pak®屏蔽技术或者抗辐照封装。 RAD-Pak®是一种密封型陶瓷封装的屏蔽技术,它将封装内的半导体元件所接收到的总电离剂量(TID)从封装外部的总电离剂量环境中降低多个数量级。 这使得我们能够在高总剂量环境的空间应用中使用只具有中等总剂量耐受性的商业级半导体。 使用抗辐照封装的元器件,可应用于在晶片级具有保证TID容差的密封陶瓷封装元器件。DDC的EEPROM也有应用了DDC专利Xray-Pak®屏蔽技术,这是一种密封的陶瓷封装屏蔽技术,消除了任何视线辐射穿透到元器件封装内的半导体。 有效地屏蔽X射线。

型号:97D2HxGxx
空间应用 DDR2 SDRAM 内存芯片
型号:27C010T
抗辐照1 Megabit (128K x 8-Bit) - OTP EPROM 内存芯片
型号:27C512T
抗辐照 512K (64K x 8-Bit) OTP EPROM 内存芯片
型号:28C010T
抗辐照 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM 内存芯片
型号:28C011T
抗辐照 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM 内存芯片
型号:28LV010
抗辐照 3.3V 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM 内存芯片
型号:28LV011
抗辐照 1 Megabit (128K x 8-Bit) EEPROM 内存芯片
型号:29F0408
抗辐照 32 Megabit (4M x 8-Bit) 闪存芯片
型号:29F32G08
抗辐照 NAND 闪存芯片
型号:33LV408
抗辐照 4 Megabit (512K x 8-Bit) CMOS SRAM 内存芯片
型号:48SD1616
抗辐照 256 Mb SDRAM 4-Meg X 16-Bit X 4-Banks 内存芯片
型号:48SD3208
抗辐照 256 Mb SDRAM 8-Meg X 8-Bit X 4-Banks 内存芯片
型号:56F6408
抗辐照 512 Megabit NOR 闪存芯片
型号:69F1608
抗辐照 128 Megabit (16M x 8-Bit) 闪存芯片
型号:72SD3232B
抗辐照 1 Gbit SDRAM 32-Meg X 32-Bit X 4-Banks 内存芯片
型号:79C0408
抗辐照 4 Megabit (512k x 8-bit) EEPROM MCM 内存芯片
型号:79C0832
抗辐照8 Megabit (256K x 32-Bit) EEPROM MCM 内存芯片
型号:79C2040B
抗辐照 20 Megabit (512K x 40-Bit) EEPROM MCM 内存芯片
型号:79LV0408
抗辐照低电压 4 Megabit (512k x 8-bit) EEPROM 内存芯片
型号:79LV0832
抗辐照 8 Megabit (256K x 32-Bit) 低电压 EEPROM MCM 内存芯片